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用PCVD法制备(TiA1)N膜的研究
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摘要
本文报道了在PCVD设备中用固态AlCl3源成功地制备出(TiAl)N膜。结果表明,(TiAl)膜的含Al量与AlCl3源的温度成正比,而膜内C含量则无明显变化。(TiAl)N膜保持了TiN膜的面心立方晶体结构,但其d(200)晶面间距变小,织构变弱,晶粒略有细化,(TiAl)N膜的显微硬度略高于或等于TiN膜的硬度,而其抗高温氧化性有较大幅度提高。
作者
赵程
彭红瑞
等
机构地区
青岛化工学院固体薄膜研究室
出处
《薄膜科学与技术》
1991年第4期63-69,共7页
关键词
等离子体化学气相沉积
(TiAl)N膜
薄膜
分类号
TN304.055 [电子电信—物理电子学]
O484 [理学—固体物理]
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薄膜科学与技术
1991年 第4期
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