第3次Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体国际会议报告
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1潘守夔.在Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体上制成超晶格光波导[J].国外激光,1989(2):22-23.
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2小城.金航数码参加第九届中国CAET程分析技术年会并作会议报告[J].航空制造技术,2013,56(17):20-20.
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3陆大成.MOCVD法生长Ⅲ-Ⅴ、Ⅱ-Ⅵ族化合物用新前体[J].稀有金属,1993,17(4):301-308.
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4袁琦,魏薇,柳青.3GPP SA3第64次会议报告[J].电信网技术,2011(12):67-69.
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5晓弈.以“十二五”规划为抓手 切实做好各项重点工作——2012年全国无线电管理工作重点及走向分析[J].中国无线电,2012(1):14-17.
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6沈桂芬,黄和鸾,齐荔.Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体中的复合机制与新型半导体发光器件[J].微处理机,1994,15(4):58-62.
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7尚玮姣（编译）,周萍（校对）.经过修订的IEEE版权协议包括会议报告人报告方面的新许可和发布协议[J].图书情报工作动态,2009(5):27-27.
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8NEC“影炫视界”高端投影机巡展在京启动[J].个人电脑,2013(7):81-81.
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9本刊通讯员.iNEMI在亚洲举行会议报告2009版路线图和无卤化阻燃剂项目[J].电子与封装,2009,9(4):47-47.
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10郝建伟,查钢强,介万奇.II-VI族化合物半导体量子结构材料和器件的研究与发展[J].材料工程,2011,39(6):87-91. 被引量：2
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