摘要
直流辉光放电清洗在现代聚变装置上应用非常广泛,如JT-60U,JET,TFTR等。HL-1M装置是单层真空室结构,其材料为00Cr18Ni10Ti不锈钢和石墨孔栏,石墨覆盖整个真空室内壁表面的6%,使用2套超高真空机组抽气。因此真空室内可能有金属杂质Cr,Ni等,主要来源于器壁;还含有杂质Si,B等,主要来源于器壁的原位沉积处理,如硅化[直流辉光放电清洗(GDC)(SiH4+He)],硼化[GDC(C2B10H12+He)]等。而目前运行的聚变装置中主要是来源于石墨的低Z杂质(C和O等),对第一壁进行He、H2、H2O等。由此可知,真空室器壁内表层的吸附物大致为金属氧化物、非金属氧化物、碳氢化合物、氢氧化合物等,为了更好地控制密度和真空壁条件达到清除其杂质的目的,我们分别用He,H2对真空室器壁进行直流辉光放电清洗。
出处
《核工业西南物理研究院年报》
1999年第1期40-41,共2页
Southwestern Institute of Physics Annual Report