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掺杂铌酸锶钡晶体注入Hg^+离子效应的研究

Studies of Hg+ implantation effects on doped SBN crystals
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摘要 通过X射线衍射实验和介电常数的温度特性实验,观察了掺入稀土元素和碱金属元素的铌酸锶钡晶体注入Hg^+离子前后的变化情况。结果表明:注入Hg^+离子后,X射线衍射峰的强度有所减小;PrSBN晶体的衍射图样变化异常;表征晶体相变的弥散程度的介电临界指数γ增大。 Obvious changes have been observed in the Hg+-implanted SBN crystals doped with rare-earths and alkaline metal by X-ray diffraction and temperature-dependence measurements of the dielectric constant, namely, (1) decrease in intensities of X ray diffraction, (2) anomaly of the diffraction patterns for Hg+-implanted PrSBN, and (3) increase in critical exponents of the dielectric constants.
机构地区 南京大学 山东大学
出处 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 1991年第10期623-627,共5页 Nuclear Techniques
关键词 掺杂 铌酸锶钡 离子注入 晶体 Doped SBN Ion implantation Diffused phase-transition Critical exponents of the dielectric constants
  • 相关文献

参考文献4

  • 1张海黔,1990年
  • 2许煜寰,Ferroelectrics Letters,1984年,2卷,189页
  • 3陈焕矗,硅酸盐学报,1982年,10卷,4期,406页
  • 4许煜寰,铁电与压电材料,1978年

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