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IGBT直流特性的解析分析
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摘要
本文根据IGBT是由MOSFET驱动的宽基区晶体管模型,提出了对称型IGBT外延层参数的选取方法,推导出正向压降的解析表达式,并讨论了外延层参数、非平衡载流子寿命、单元图形和终端有效度诸因素对正向压降的影响。
作者
高玉民
机构地区
陕西机械学院半导体器件教研室
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1992年第6期24-29,共6页
Semiconductor Technology
关键词
直流特性
TGBT
解析分析
分类号
TN386.2 [电子电信—物理电子学]
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半导体技术
1992年 第6期
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