IGBT直流特性的解析分析

本文根据IGBT是由MOSFET驱动的宽基区晶体管模型,提出了对称型IGBT外延层参数的选取方法,推导出正向压降的解析表达式,并讨论了外延层参数、非平衡载流子寿命、单元图形和终端有效度诸因素对正向压降的影响。