PECVD法淀积SiN_xH_y工艺在H^+-ISFET上应用的探讨被引量：2

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摘要本文研究和讨论了使用H99-7S型多用离子反应仪PECVD法淀积氮化硅(SiN_xH_y)膜的工艺,并探讨了SiN_XH_Y膜同时作为氢离子敏场效应晶体管(H^+-ISFET)敏感膜及二次钝化保护膜的可行性,以改善H^+-ISFET器件的密封防渗漏性能。

作者钟雨乐刘涛李京娜

机构地区暨南大学电子工程系广东省电力工业学校

出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1992年第6期49-53,共5页 Semiconductor Technology

关键词 H^+-ISFET PECVD 淀积 SiNxHy 氢离子敏场效应晶体管

同被引文献3

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半导体技术

1992年第6期

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