摘要
本文讨论了为保证大直径CZ硅单晶无位错生长缩颈时细颈的最小直径以及可能提拉晶体的最大重量,同时给出了简单预测籽晶细颈的公式。
In order to ensure the smallest necked-down diameter for the dislocation-free growth of CZSi with large diameter and the maximum weight of allowable Pulled crystals, this paper gives a simple equation for the prediction of seed necked- down diameter.
出处
《河北工学院学报》
1991年第2期42-45,共4页
Journal of Hubei Polytechnic University
关键词
单晶硅
生长
籽晶细颈
缩颈
Seed neck,Dislocation Free CZSi,Fracture stress,Seed crystal,Crystalline latent heat,Ordering lattice,Deffect,Temperature gradient.
