瓷器在SiC匣钵中烧成引起的黑化(四)

4.9 解释黑化现象产生的实验 4.9.1 气氛中的反应如果要避免瓷器的黑化,对于SiC在高温烧成过程中的热化学反应必须搞清楚。有关文献指出,黑化大多是因SiC的氧化反应而造成的。黑化相为SiO或冷却过程中由SiO的歧化反应而在釉中形成的单质Si。这样的推测是建立在早期热力学计算的基础上的。计算得出Psio的临界值为0.04巴,因此,前提是SiO在气体中高度浓集。