利用RF—等离子气体法由SiO_2粉体合成SiC粉体

1.绪言由于气相反应法是得到高纯度微细颗粒的有效方法,所以有关合成SiC粉体方面的研究也就进行得特别广泛。若是将Si(CH_3)_4和SiH_4作为硅的来源,可利用气相反应,于1500℃以下得到超微粒的SiC粉体。然而,这些硅化物,作为工业制造SiC粉体的原料是昂贵的。如采用廉价的SiCl_4和CH_3SiCl_3则由于其生成SiC粉体的反应性能较低,而需要更高的温度。因此。