期刊文献+

半导体激光器的可靠性 被引量:2

Reliability of Semiconductr Lasers
下载PDF
导出
摘要 本文总结了关于半导体激光器可靠性研究的主要结果,讨论了主要退化模式,对实现高可靠性器件需要把握的主要因素进行了阐述。 The main results of the study on reliability of semiconductor lasers are outlined,ineluding major degradation modes and the main factors for achie- ving high reliability devices.
出处 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 1991年第1期1-5,共5页 Semiconductor Optoelectronics
关键词 半导体激光器 可靠性 退化模式 Lasers Reliability Degradation Mode
  • 相关文献

同被引文献11

  • 1石家纬,金恩顺,李红岩,李正庭,郭树旭,高鼎三,余金中,郭良.一个检测半导体激光器质量的有效方法[J].Journal of Semiconductors,1996,17(8):595-600. 被引量:6
  • 2Jandeleit Jü, Wiedmann N, Loosen P, et al. Reliability and degradation mechanisms of high power diode lasers [J]. Proc. SPIE, 1999,3 626 : 217-221.
  • 3Ueda O. Device-degradation phenomena in Ⅲ-Ⅴ semiconductor lasers and LEDs[J]. Proc. SPIE, 1992,1634:215-227.
  • 4Diaz J, Yi H J, Rageghi M. Long-term of Al-free InGaAsP/GaAs (λ= 808nm) lasers at high-power high-temperature operation [J]. Appl. Phys. Lett. ,1997,71(21):3042-3044.
  • 5Daiminger F X, Dorsh F, Heinemann S. Aging properties of AlGaAs/GaAs high power diode lasers [J]. Proc. SPIE,1998,3 244:587-595.
  • 6Moser A. Thermodynamics of facet damage in cleaved AlGaAslasers[J]. Appl. Phys. Lett.,1991,59 (5):522-524.
  • 7Macmillan I. Creating high-power optical coatings is complex[J]. Laser Focus World,2002:137-144.
  • 8Hashimoto J, Yoshida I. A highly reliable GaInAsGaInP 0. 98 μm window laser[J]. IEEE J. Quantum Electron. ,1997,33(1):971-976.
  • 9石家纬,梁庆成,曹军胜,刘奎学,郭树旭,李红岩,胡贵军.高功率半导体激光器电压饱和特性与器件质量[J].中国激光,2008,35(9):1346-1349. 被引量:4
  • 10梁庆成,石家纬,曹军胜,刘奎学,郭树旭,李红岩,胡贵军.高功率半导体激光器的m值与器件质量的相关性[J].半导体光电,2008,29(6):847-850. 被引量:3

引证文献2

二级引证文献6

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部