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GaAs/AlAs量子阱在电场下的量子限定Stark效应
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摘要
本文从单带双谷模型出发,使用隧道谐振方法研究了GaAs/AlAs量子阱在电场作用下的量子限定Stark效应。计算了电子和空穴能级的Stark效应,讨论了各种不同状态所产生的不同的Stark效应,在此基础上研究了一些特殊结构量子阱中的能带混和效应,即r-X混和效应,最后论述了电场作用与量子阱中电子状态之间的相互关系。
作者
薛舫时
机构地区
南京电子器件研究所
出处
《半导体杂志》
1990年第1期1-8,共8页
关键词
砷化镓
砷化铝
量子阱
电场
STARK效应
分类号
TN304.23 [电子电信—物理电子学]
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半导体杂志
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