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HB法掺In—GaAs晶体的研究

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作者李庆辉赵志杰

机构地区营口市辽河电子材料厂

出处《半导体杂志》 1990年第1期12-14,共3页

关键词 HB法 In-GaAs晶体掺杂半导体

分类号 TN305.3 [电子电信—物理电子学]

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半导体杂志

1990年第1期

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