化学束外延(CBE)的研究现状及其应用

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摘要化学束外延(CBE)是近三、四年才发展起来的一种新的外延生长技术。本文较系统地评述了CBE的研究现状,并在把CBE技术与MOCVD和MBE技术比较的基础上,着重介绍了CBE的原理和特点。最后介绍了它在制备化合物半导体薄膜和光电器件方面的应用和最新进展。

作者宋登元

机构地区河北大学电子系

出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1990年第1期1-5,14,共6页 Semiconductor Technology

关键词化学束外延外延生长技术半导体工艺

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半导体技术

1990年第1期

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