多层结构ISFET传感器特性的研究

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摘要本文着重研究了Si_3N_4/SiO_2、Ta_2O_5/SiO_2、Ta_2O_5/Si_3N_4/SiO_2、Ta_2O_5/NAS/Si_3N_4/SiO_2等多层介质结构H^+-ISFET传感器的特性,给出了实验结果,并做了必要的分析讨论。

作者祁增芳余剑平

机构地区南开大学电子科学系

出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1990年第1期11-14,共4页 Semiconductor Technology

关键词多层结构 ISFET 传感器场效应晶体管

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半导体技术

1990年第1期

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