Al/TiN_xO_yC_z/TiSi_2/Si金属化系统的研究

为了满足集成电路向高密度、高速度和高可靠性发展的需要,特别是浅结和微小区域的欧姆接触的需要,使用多层金属化系统。多层金属化要求低的接触电阻,高可靠性。TiN/TiSi_2是一种很理想的欧姆接触系统。本文对在Si衬底上蒸发Ti膜用注入剂量比较低的N^+注入,经一步热处理同时形成TiN/TiSi_2,再蒸发导电层Al所形成Al/TiN_xO_yC_z/TiSi_2/Si金属化系统的性能做了研究,并且进行了失效分析。认为这种系统实现了低的接触电阻、高可靠性(600℃,1小时性能良好)和简单的制造工艺。