a-Si:H和a-Si_xN_(1-x):H光学特性的研究

下载PDF

导出

摘要本文所用a_Si:H和a-Si_xN_(1-x):H薄膜是用辉光放电法制备而成的。薄膜中氮含量由淀积气体中氮气与硅烷气体体积比γ(=N_2/SiH_4)来控制。利用椭圆偏振光谱测定了a-Si:H和a-Si_xN_(1-x):H在波长为2000A～6000A的范围内的光学常数。着重研究了其光学参数随制备时的衬底温度T和γ而变化的变化规律。

作者冯玉春罗晋生

机构地区西安整流器研究所西安交通大学

出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1990年第1期29-33,共5页 Semiconductor Technology

关键词 a-Si:H材料半导体薄膜光学特性

分类号 TN304.055 [电子电信—物理电子学]

引文网络
相关文献

1惠恒荣,吴爱兰,张东升,五室.引入a-Si:H材料的氮化硅芯片电容[J].半导体技术,1990,6(1):15-17.
2张淑珍,王春梅.键合金丝中微量金属杂质的ICP光谱测定[J].半导体杂志,1993,18(3):14-18.
3张治国,宿昌厚.差分SPV法测量a-Si:H材料少子扩散长度的数学模型[J].电子科学学刊,1993,15(5):487-492.
4近程激光测距机用的YAG激光器[J].四川激光,1975(1):10-18.
5袁奇燕,徐重阳,张少强,邹雪城.a－S1∶H　CCD的转移特性分析[J].液晶与显示,1996,11(2):149-154.
6张楼英,周丽,张家雨,罗宗南,崔一平.大功率LED的光衰机制研究[J].半导体技术,2009,34(5):474-477. 被引量：20
7张晓丹,赵颖,熊绍珍.薄膜太阳电池系列讲座(11) 硅基薄膜太阳电池(三)[J].太阳能,2012(7):8-10.
8陈溪滢,曹华,徐前江,王杰,朱炜,曹先安,张甫龙,丁训民,侯晓远,陆明.GaAs表面S钝化方法：S气氛辉光放电法[J].Journal of Semiconductors,1996,17(6):476-480. 被引量：1
9马小凤,王懿喆,周呈悦.a-Si∶H/SiO_2多量子阱材料制备及其光学性能和微结构研究[J].物理学报,2011,60(6):743-747.
10杨灿珠,文小明.准分子激光激发的快速光谱定性分析研究[J].激光与光电子学进展,1996(7):35-35.

半导体技术

1990年第1期

浏览历史

内容加载中请稍等...

a-Si:H和a-Si_xN_(1-x):H光学特性的研究

相关作者

相关机构

相关主题

浏览历史