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MCT液相外延薄膜的研制 被引量:1

Growth and Properties of Hg_(1-x)Cd_xTe LPE Films
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摘要 用开管水平卧式液相外延系统在不同生长条件下生长了不同 x 值的MCT 液相外延薄膜。通过对外延生长工艺的控制,外延薄膜的表面形貌有较大改善,残留母液大为减少;外延薄膜的结构参数、电学参数和光学参数均有较大改善和提高。分析表明外延膜有较高的质量。短波材料和中波材料均已作出性能较高的器件。 The epitaxial films of Mercury Cadmium Telluride (MCT) with various x values have beem grown from To-rich colution in an open tube sliding system,Controlling the growth procedure makes the morphology, structure and the Electric and optic properties of MCT epi-films improve obviously,The melt remained on the film surface is reduced,The examialion to MCT epi-films shows that the films quality is excellent.The short-wave and middle-wave detectors made of LPE films have been produced successfully.
机构地区 昆明物理研究所
出处 《红外技术》 CSCD 1991年第6期18-22,共5页 Infrared Technology
基金 国家863高技术项目。
关键词 HGCDTE 液相外延 薄膜 红外材料 Mercury Cadmium Telluride(MCT) Liquid Phase Epitaxy (LPE) Properties of films Infrared spectrum Substrate material
  • 相关文献

参考文献4

  • 1王跃,汤志杰,庄维莎,何景福.MCT液相外延薄膜的生长和特性[J].红外技术,1991,13(1):6-10. 被引量:2
  • 2《激光与红外》1989年第19卷总目[J]激光与红外,1989(06).
  • 3何景福,陶长远,魏天衢.Te液相外延中的汞压控制[J]红外技术,1987(04).
  • 4何景福,魏天衢,李丽,陶长远,庄维莎.Te薄膜晶体[J]红外技术,1986(05).

二级参考文献3

  • 1何景福,陶长远,魏天衢.Te液相外延中的汞压控制[J]红外技术,1987(04).
  • 2何景福,魏天衢,李丽,陶长远,庄维莎.Te薄膜晶体[J]红外技术,1986(05).
  • 3王跃,蔡毅,李全保,宋炳文.MCT单晶中的应变研究[J].红外技术,1990,12(6):1-5. 被引量:4

共引文献1

同被引文献8

  • 1C.L.Jones et al.. Thermal Modelling of Bridgman Crystal Growth[J]. J .Crystal Growth. 1982, 56:581 -590.
  • 2Ta-Wei Fu et al.. Influence of Insulation on Stability of Interface Shape and Position in The Vertical Bridgman-Stockbarger Technique[J]. Z Crystal Growth. 1980,48: 416-424.
  • 3Robert J. Nauman et al.. Effect of Variable Thermal Conductivity on Isotherms in Bridgman Growth[J]. J.Crystal Growth. 1983, 61: 707-710.
  • 4B.E.Bartll et al.. The Effects of Growth Speed on The Compositional Variations in Crystals of Cadmium Mercury Telluride[J]. J. Crystal Growth. 1979, 46: 623-629.
  • 5王跃.[D].西安,2000:3.
  • 6G.L.Hansen, J.L.Schmit, T.N.Casselman. Enery Gap Versus alloy Composition and Temperature in Hg1-xCdxTe[J]. J.Appl.Phys. 1982, 53: 7099-7101.
  • 7王跃.布里奇曼法生长碲镉汞晶体的缺陷及其展望[J].红外技术,1998,20(1):1-4. 被引量:3
  • 8王跃,汤志杰,庄维莎,何景福.MCT液相外延薄膜的生长和特性[J].红外技术,1991,13(1):6-10. 被引量:2

引证文献1

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