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β-Si_3N_4晶体红外吸收系数的计算 被引量：1

CALCULATION OF INFRARED ABSORPTION COEFFICIENT IN β-Si_3N_4 CRYSTAL
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摘要 引进偶极矩的格林函数建立了计算晶体辐射吸收系数的理论模型,并用Recursion方法求解晶体偶极矩的格林函数,对β-Si_3N_4晶体的红外吸收系数作了理论计算,结果表明β-Si_3N_4晶体在红外波段7～30μm之间有选择吸收,与已有报道一致。 By using the recursion method, the Green function of electric dipole moment in β-Si_3N_4 crystal is calculated based on the theoretical model established in this paper, and the infrared absorption coefficient is obtained. The calculated result is in agreement with the preceding experiments, that is, selective absorptions in β-Si_3N_4 exist in the spectral range from 7 to 30μm.
作者 曾怀忍 王福恒
机构地区 航空航天部二院二○七所
出处 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1991年第5期393-397,共5页 Journal of Infrared and Millimeter Waves
关键词 Si3N4晶体 格林函数 红外吸收系数 β-Si_3N_4 crystal, Green funotion, infrared absorption coefficient.
分类号 TN213 [电子电信—物理电子学]
  • 相关文献

参考文献4

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  • 4朱正和，原子与分子物理学报，1982年，6卷，2期，1041页

同被引文献22

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引证文献1

二级引证文献1

红外与毫米波学报
1991年 第5期

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