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碲镉汞光导探测器掺杂表面层特性
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摘要
把掺杂层对HgCdTe光导探测器表面的影响视为掺杂层电活性载流子与基底材料电活性载流子之比的函数关系,作了理论研究。结论是:在较薄层正面和背面作适当掺杂,可能提高光导探测器的响应率。
作者
黄印权
出处
《红外与激光技术》
CSCD
1991年第1期43-50,共8页
关键词
碲镉汞
光导探测器
掺杂
响应率
分类号
TN361 [电子电信—物理电子学]
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红外与激光技术
1991年 第1期
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