锑化铟磁敏电位器芯片的研制

本文主要论迷锑化铟(InSb)磁敏电位器芯片研制的理论依据和影响因素,简要提及国內外研制情况。重点报导磁敏电位器关键部件——InSb磁敏器件芯片的版图设计,工艺流程和性能测试。用该工艺制备的芯片装配的电位器用于整机(FX-102型心电图机)效果良好,性能参数国内领先、此外,对完善工艺和提高成品率也作了讨论。