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硅化铂肖特基势垒红外电荷耦合器件焦平面阵列的噪声分析
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摘要
本文主要分析硅电荷耦合器件(Si-CCD)和硅化铂肖特基势垒红外电荷耦合器件(PtSi-SBIR CCD)的噪声产生原因以及降低噪声的方法。
作者
程开富
机构地区
机械电子工业部第四十四研究所
出处
《红外与激光技术》
CSCD
1991年第6期14-17,13,共5页
关键词
CCD
噪声
硅化铂
肖特基势垒
分类号
TN386.5 [电子电信—物理电子学]
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红外与激光技术
1991年 第6期
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