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硅化铂肖特基势垒红外电荷耦合器件焦平面阵列的噪声分析

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摘要 本文主要分析硅电荷耦合器件(Si-CCD)和硅化铂肖特基势垒红外电荷耦合器件(PtSi-SBIR CCD)的噪声产生原因以及降低噪声的方法。
作者 程开富
出处 《红外与激光技术》 CSCD 1991年第6期14-17,13,共5页
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