摘要
测量了SrS∶Eu ,Sm的吸收光谱在陷阱饱和与倒空状态下的差异 ,由此讨论了在陷阱饱和时不同能量位置空穴和电子的分布 ,通过在近红外区Sm3 +的吸收光谱研究了Sm离子价态和数目在激发前后的变化 ,并发现Sm3 +的线状吸收与电子的陷阱→导带的激励吸收光谱存在较强的相消现象 .提出了在SrS∶Eu ,Sm中陷阱的构成机制及Sm3 +离子在其中的地位 ,考察了Sm浓度对光存储量的影响 ,并找到一个提高这种材料光存储量的合理方法 .
出处
《中国科学(A辑)》
CSCD
北大核心
2001年第4期366-372,共7页
Science in China(Series A)
基金
国家自然科学基金!资助项目 (批准号 :198740 0 1)