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低波长漂移的电吸收调制DFB激光器 被引量:1

Low Wavelength Shift Electroabsorption Modulated DFB Laser
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摘要 采用端面有效反射率法 ,从理论上计算了单片集成电吸收调制 DFB激光器 (Electroabsorption ModulatedDFB L aser,EML)的腔面反射率、耦合强度 (κL)对其波长漂移的影响 .同时在实验中通过改变腔面的反射率来验证计算结果 .理论与实验的结果表明 :为提高 EML 的模式稳定性 ,必须减小调制器一端的反射率 ,同时增加DFB激光器的 κL.最终我们采用选择区域生长 (Selective Area Growth,SAG)的方法 ,制作了低光反馈出光面的单脊条形 EML,在 2 .5 Gb/ s的非归零 (NRZ)码调制下 ,经过 2 80 km的标准光纤传输后 ,没有发现色散代价 . Effective facet reflectivity incorporating couple wave theory is adopted to calculate wavelength shift of electroabsorption modulated DFB laser (EML) with different facet reflectivity,facet phase and coupling strength,κL.Wavelength shift of index coupled EML is measured by optical spectrometer when the modulator side facet of the EML is coated with different reflectivity optical thin films.Theoretic and experimental results show that light feedback from the modulator output facet must be minimized and a relatively larger κL is needed to maintain the longitudinal mode stability.Single ridge waveguide EML incorporating InP window and anti-reflection optical film coating is fabricated by selective area growth.No power penalty is observed at a bit-error-ratio of 10 -12 after standard single mode fiber transmission of 280km long when the EML is modulated with 25Gb/s NRZ 2 23-1 PRBS data.
出处 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第5期636-640,共5页 半导体学报(英文版)
基金 国家"863"高技术计划项目! (项目编号 :863 -3 0 7-11-1(15 ) ) 国家自然科学基金! (批准号 :698962 60 )&&
关键词 DFB激光器 电吸收调制器 低波长漂移 DFB laser electroabsorption modulator photonic integration optical film coating high speed optical transmission
  • 相关文献

参考文献2

二级参考文献8

  • 1罗毅 等.GaAlAs/GaAs增益耦合型分布反馈式半导体激光器/电吸收型调制器单片光子集成器件的研制.第六届纤维光学集成光学学术会议[M].四川成都,1994,10.146.
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  • 8罗毅,文国鹏,孙长征,李同宁,杨新民,王任凡,王彩玲,金锦炎.1.55μmInGaAsP/InP部份增益耦合分布反馈式激光器/电吸收调制器集成器件[J].Journal of Semiconductors,1998,19(7):557-560. 被引量:1

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同被引文献2

引证文献1

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