MOVPE生长的GaN基蓝色与绿色LED 被引量：2

InGaN/AlGaN Blue and Green LED Grown by MOVPE

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摘要报道用自行研制的LP-MOVPE设备，在蓝宝石（α-Al2O3）衬底上生长出以InGaN为有源区的蓝光和绿光InGaN/AlGaN双异质结结构以及InGaN/GaN量子阱结构的LED，其发射波长分别为430～450nm和520～540nm。 Zn and Si co-doped InGaN/AlGaN double-heterostructure and InGaN/GaN single quantum well structure were grown on Al2O3 substrate by LP-MOVPE. Blue LEDs with wavelength of 430～450nm and green LEDs with wavelength of 520～540nm were fabricated.

作者陆大成刘祥林韩培德王晓晖汪度袁海荣

机构地区中国科学院半导体研究所半导体材料开放实验室

出处《液晶与显示》 CAS CSCD 2001年第1期1-5,共5页 Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays

基金 "863"计划资助项目!(863-715-234-04)

关键词 GAN InGaN AlGaN 双异质结量子阱蓝光LED 绿光LED MOVPE 氮化镓发光二极管 GaN InGaN AlGaN double-heterostructure quantum well blue LED green LED MOVPE

分类号 TN312.8 [电子电信—物理电子学]

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液晶与显示

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