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红外子带间量子级联激光器的短波极限

SHORTWAVE LIMIT OF INFRARED INTERSUBBAND QUANTUM CASCADE LASERS '
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摘要 从理论上探讨了红外子带间量子级联激光器向短波段发展的可能性及其根本性困难 ,用模型固体理论的基本假设、应变能带理论、非抛物性能带的经验二带模型、传播矩阵和分层逼近法 ,分析计算了以 Ga Sb为衬底的In As/Al Sb,In As/Al0 .6 Ga0 .4Sb,和以 In P为衬底的 In0 .5 3 Ga0 .4 7As/In0 .5 2 Al0 .4 8As的带阶 ,及其所组成的量子阱在加和不加电场作用下的束缚态 .发现其导带最大子带边能量差不可能超过其阱深的 56%~ 62 % ,而且受到导带间接能谷的限制而进一步减小 .设计提出了迄今发射最短波长为 2 .88μm的由 2 5个周期共 2 50个耦合量子阱组成、外加电场为 10 0 k The feasibility and fundamental difficulty in developing the infrared intersubband quantum cascade lasers in shorter wavelength range were discussed theoretically. The band offsets of InAs/AlSb on GaSb substrate, InAs/Al 0.6 Ga 0.4 Sb on GaSb substrate, and In 0.53 Ga 0.47 As/In 0.52 Al 0.48 As on InP substrate, and the confined states of their quantum wells with and without an applied electric field were analyzed and calculated by using the fundamental assumption of model solid theory, strained band structure theory, empirical two band model for non parabolic band, and methods of propagation matrix and laminar approach. It was found that the greatest energy difference between subband edges can not exceed 56~62% of the conduction band offset, and will be decreased further by the indirect valley. A designed structure of intersubband quantum cascade laser consisting of 250 coupled quantum wells in 25 periods under electric field 100kV/cm for emitting the shortest wavelength 2.88μm was proposed.
出处 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第1期1-6,共6页 Journal of Infrared and Millimeter Waves
基金 国家自然科学基金! (编号 6 96 76 0 2 6 )&&
关键词 子带间跃迁 带阶 非抛物性能带 红外量子级联激光器 短波极限 量子尺寸效应 导带间接能谷 quantum cascade laser, intersubband transition, band offset, nonparabolic band.
  • 相关文献

参考文献6

  • 1郭长志 刘要武.InGaAsP半导体激光器中能带结构对俄歇复合的影响及其对T0的贡献[J].半导体学报,1986,7(2):154-154.
  • 2朴海镇,陈辰嘉,郭长志.镓铟砷/铝铟砷QW LD中俄歇复合及其对T_0的影响[J].半导体光电,1998,19(6):356-361. 被引量:4
  • 3张权生 刘峰奇 等.InGaAs/InAlAs量子级联激光器设计及其参数选取[J].发光学报,1999,20:55-55.
  • 4Yang R Q,Microelectron J,1999年,30卷,1043页
  • 5张权生,发光学报,1999年,20卷,增刊,55页
  • 6郭长志,半导体学报,1986年,7卷,2期,154页

二级参考文献4

  • 1郭长志,信息光电子学基础高级研讨班,1995年
  • 2Guo C Z,半导体超晶格/景子阱物理与光电子器件讨论会,1991年
  • 3郭长志,半导体学报,1987年,8卷,2期,122页
  • 4郭长志,半导体学报,1986年,7卷,2期,154页

共引文献3

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