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溶胶-凝胶法制备BST铁电薄膜及性能研究 被引量:6

PREPARATION OF (Ba _(0.5) Sr_( 0.5))TiO 3 THIN FILM BY SOL GEL TECHNIQUE AND ITS CHARACTERISTICS
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摘要 研究了一种以水为溶剂的 (Ba0 .5 Sr0 .5 ) Ti O3(即 BST)液体源溶液 ,用 Sol- Gel技术制备出 BST薄膜 .性能测试结果表明 ,厚度为 16 0 nm70 0℃保温 1h的 (Ba0 .5 Sr0 .5 ) Ti O3薄膜具有较好的结构、介电性能和漏电流性能 :在室温下 ,其为纯立方钙钛矿相 ,介电常数为 2 2 5 ,介电损耗为 0 .0 44 ,漏电流密度为 8.0× 10 - 8A/ cm2 .进一步研究发现 ,随着烧结温度的升高 ,漏电流降低 。 (Ba0.5Sr0.5)TiO3 ferroelectric thin films were prepared by Sol-Gel processing. Films with thickness of 160nm treated at 700 degreesC for 1h showed pure perovskite structure and good dielectric, insulating properties, i.e. a dielectric constant of 225, a dielectric loss of 0.044, a leakage current density of 8.0x10(-8)A/cm(2). The leakage current density was found to depend on the annealing temperature. The measurement of the J-V characteristics on films indicated the conduction process to be bulk-limited.
出处 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第1期73-76,共4页 Journal of Infrared and Millimeter Waves
关键词 BST薄膜 溶胶-凝胶法 介电性能 漏电流 结构 铁电薄膜 Ba0.5Sr0.5TiO3 SOL-GEL dielectric property leakage current
  • 相关文献

参考文献3

  • 1Hwang Cheolseong,J Appl Phys,1999年,84卷,287页
  • 2Hwang Cheolseong,J Appl Phys,1998年,83卷,3703页
  • 3Kahn A,J Mater Lett,1995年,14卷,1085页

同被引文献134

  • 1肖定全.集成铁电学与铁电集成薄膜[J].物理,1994,23(10):577-582. 被引量:14
  • 2熊笔锋.[D].华中科技大学,2001.
  • 3Owen R et al.红外月刊,1999,8:1-1.
  • 4潘士宏 莫党.物理学进展,1985,5(1):66-66.
  • 5熊兆贤.材料物理导论[M].北京:科学出版社,2002..
  • 6Scott J F,Watanabe K,Hartmamn A J,et al. Ferroelectrics,1999,225:83.
  • 7Abe K,Komastsu S. J Appl Phys,1995,77:6461.
  • 8Rivkin T V, Carlson C M, Pariua P A, et al. Integrated Ferroelectrics, 2000,29 : 215.
  • 9Copel M, Baniecki J D, Duncombe P R,et al. Appl Phys Lett. 1998,73 : 1832.
  • 10Ahn K H,Kim S S,Baik S,et al. J Appl Phys,2002,92(1) :421.

引证文献6

二级引证文献18

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