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硅量子点的介电受限特性

Dielectric Confinement Property of Silicon Quantum Dots
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摘要 在有效质量近似的条件下 ,研究弱束缚类量子点的介电常数与其半径的关系 .通过室温下测得的硅量子点的光荧光光谱 ,计算硅量子点的介电常数 ,证实硅量子点介电常数的尺度效应 . Under the condition of effectivemass approximation,the authors studied the relation between dielectric constant of loosely bounded quantum dots and their radii;and calculated the dielectric constant of silicon quantum dots by way of photoluminescent spectra of silicon quantum dots determined at room temperature ;and confirmed the dimensional effect of the dielectric constant of silicon quantum dots.
出处 《华侨大学学报(自然科学版)》 CAS 2001年第2期143-146,共4页 Journal of Huaqiao University(Natural Science)
基金 国家自然科学重大科研基金 集成光电子学国家重点实验室开放课题
关键词 硅量子点 介电常数 激子 尺度效应 半导体 有限度量近似 弱束缚长 silicon quantum dots, dielectrie constant, exciton
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参考文献7

二级参考文献16

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