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相变扩散对PTCR效应的影响
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摘要
从Kanzig微区的概念出发,求得具有扩散相变的铁电体中序参量的温度分布,推导出铁电半导体陶瓷中晶界电阻率温度变化的的函数关系,讨论了扩散相变对PTCR效应的影响。结果表明,扩散相变对PTCR效应的某些特征参量有重要影响,特别是明显地降低了电阻突变的起跳温度和变化陡变。对这种影响的程度作了数值估计。
作者
陈志雄
鲁圣国
机构地区
广州师院物理
西安交大电子工程系
出处
《广州师院学报(自然科学版)》
1990年第2期1-9,共9页
关键词
扩散相变
铁电半导体陶瓷
正温度系数电阻
晶界
微畴
PTCR效应
电阻率
分类号
TM283 [一般工业技术—材料科学与工程]
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广州师院学报(自然科学版)
1990年 第2期
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