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用椭圆偏振测量法分析碲镉汞的组分及其均匀性

Analysis on Composition and Uniformity of HgCdTe by Ellipsometry
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摘要 简略介绍了椭偏仪的测量原理和测量装置。分析了Hg1-xCdxTe(MCT)的组分与椭偏仪的参数Δ和 ψ之间的关系 ,结果发现碲镉汞的组分x主要与椭偏仪的参数 ψ有关 ,而且x与 ψ的经验关系为 ψ =14.84 - 10 .2 2x。最后用椭圆偏振测量的方法分析了碲镉汞的横向和纵向组分均匀性。该方法具有非破坏性、有效、快捷的特点。 Principle of ellipsometric measurement is presented and ellipsometry is briefly described, followed by analysis on the relationship between the composition of HgCdTe and the ellipsometric parameters ( and Δ). It is found that the ellipsometric parameter is chiefly correlated with composition x, and x has an approximately linear relationship to . Finally, the transverse and longitudinal compositional uniformity of HgCdTe is analyzed by ellipsometric measurement which is a nondestructive, effective and rapid analytic method.
出处 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2001年第3期224-226,共3页 Semiconductor Optoelectronics
基金 原云南工业大学校立基金资助项目! (980 10 )
关键词 椭圆偏振测量 碲镉汞 组分均匀性 半导体材料 ellipsometric measurement HgCdTe compositional uniformity
  • 相关文献

参考文献2

  • 1[1]McLevige W V, Arias J M, Edwall D D, et al. Ellipsometric profiling of HgCdTe heterostructures[J]. J.Vac.Sci.Technol.,1991,B9(5):2483-2486.
  • 2[2]Rjiger D R,Kvaas R E.Final report AFWAL-TR-86-4009[P].Contract F33615-80-C-5084(1986).

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