CdSe／CdMnSe多量子阱的生长和激子复合动力学性质的研究

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摘要用分子束外延在GaAs衬底上生长了CdSe/CdMnSe多量子阱结构。利用X射线衍射（XRD）、低激发密度下的PL光谱和变密度激发的ps时间分辨光谱研究了CdSe/CdMnSe多量子减时间不同，认为它的机理可能是无辐射复合引起的。

作者张希清徐征等

机构地区北方交通大学光电子技术研究所

出处《光子学报》 EI CAS CSCD 2000年第Z01期317-320,共4页 Acta Photonica Sinica

关键词多量子阱硒化镉 X射线衍射 PL光谱 PS时间分辨光谱发光衰减时间激子复合制备结构

分类号 TN303 [电子电信—物理电子学]

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