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采用MEMS技术制造硅磁敏三极管 被引量:7

Silicon megnetotran sistor by MEMS technology silicon transistor
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摘要 阐述了采用MEMS技术与反外延技术相结合在硅片表面制造具有矩形板状立体结构的硅磁敏三极管的设计原理、结构和工艺。结果表明 ,设计的硅磁敏三极管制造技术不但能与IC工艺相兼容 ,而且便于集成化 ,将有广泛的应用领域。 Adopt MEMS techniques and turn- extensing techniques make magnetic-sensitive silicon transistor in the face of the silicon is introduced,the magnetic-sensitive silicon transistor has rectangular structure.The design principle,device structure and technology are also introduced .The result shown technology of the sensor array is using silicon micromachining technology combined with semiconductor IC process and easy to integrated circuit block.The device will have a vast new world of application and dissemination.
出处 《传感器技术》 CSCD 北大核心 2001年第5期49-52,共4页 Journal of Transducer Technology
基金 国家自然科学基金资助项目! (60 0 760 2 7)
关键词 MEMS技术 反外延技术 硅磁敏三极管 MEMS techniques turn-extensing techniques magnetic-sensitive silicon transistor
  • 相关文献

参考文献9

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  • 7黄得星,电子科学学刊,1986年,8卷,2期,104页
  • 8黄得星,半导体学报,1982年,3卷,4期,319页
  • 9黄得星,物理,1979年,8卷,456页

二级参考文献7

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  • 2温殿忠,传感技术学报,1990年,3卷,3期,7页
  • 3温殿忠,传感器技术,1988年,2卷,1期,35页
  • 4温殿忠,1987年
  • 5黄得星,电子学报,1980年,4卷,43页
  • 6黄得星,物理,1979年,8卷,456页
  • 7团体著者

共引文献5

同被引文献38

引证文献7

二级引证文献22

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