硅N^+PP^+太阳电池工艺

当前所用的太阳电池,由于成本高、效率低,还不能普及推广应用。本文吸收已有的研究成果,并根据多年的半导体生产实践经验,提出比较成熟的硅N+PP+太阳电池的工艺、技术方案。 (一)元件构造硅N^+PP^+太阳电池元件的构造如图1所示。 (1)基片:选取直径为20—28毫米的P型硅单晶薄片,厚度为200—250微米,电阻率为ρ=0.3—10欧姆·厘米。