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2.5—10Gb/s光发射机驱动电路HEMT IC中器件模型参数 被引量:3

Device Model Parameters for 2.5—10Gb/s HEMT Modulator Driver IC
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摘要 对高速调制器驱动电路 HEMT IC中器件参数进行了研究 ,着重讨论了 HEMT器件直流参数、交流参数对外调制驱动电路特性的影响 ,给出了满足电路性能要求的器件参数范围 ;对 2 .5— 10 Gb/ s PHEMT IC光驱动电路进行了计算机仿真 ,眼图模拟结果表明满足 2 .5— 10 Gb/ Device parameters for 2 5—10Gb/s HEMT modulator driver IC have been studied.The effect of DC parameters and capacitance parameters on the driver IC has been discussed.And the ranges of above parameters that meet the requirements of the driver IC are calculated.Eye diagrams simulation is made for 2 5—10Gb/s HEMT modulator driver IC by using PSPICE.
出处 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第6期800-805,共6页 半导体学报(英文版)
关键词 高速光集成电路 光发射机 驱动电路 HEMT器件模型参数 high-speed optoelectronic integrated circuit optical transmitters driver IC HEMT device model parameters
  • 相关文献

参考文献1

  • 1Zhihao L,J Lightwave Technol,1998年,16卷,8期,1491—1495页

同被引文献4

  • 1Shinohara K, Yamashita Y, Hikosaka K, et al. Ultra-short T-shaped gate fabracation technique for InP based HEMTs with high ft(>300GHz) and their MMIC applications. International Conference on GaAs, Paris, 2000.
  • 2Wakita A S,Su C Y,Rohdin H,et al. Novel high-yield trilayer resist process for 0.1μm T-gate fabrication. J Vac Sci Technol B,1995,13(6) :2725.
  • 3李效白.砷化镓微波功率场效应晶体管及其集成电路[M]科学出版社,1998.
  • 4石华芬,张海英,刘训春,陈宝钦,刘明,王云翔.一种新的高成品率InP基T型纳米栅制作方法[J].Journal of Semiconductors,2003,24(4):411-415. 被引量:7

引证文献3

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