摘要
本文主要介绍几种新型的ESD保护结构。包括互补SCR结构 ,双寄生SCR结构 ,低触发电压、高触发电流的横向SCR结构等 ,利用这些结构可以对CMOS集成电路的输入
In this paper,some new ESD protection structures,such as complementary SCR,dual parasitic SCR,lateral SCR with low-voltage and high-current triggering are discussed.With these structures,the input/output pads of CMOS IC's are protected effectively against the ESD stress.
出处
《微电子技术》
2001年第3期6-17,共12页
Microelectronic Technology
关键词
CMOS
集成电路
ESD保护
CMOS
IC
Electrostatic Discharge(ESD)
Protection
Lateral
Semiconductor Control Rectifier(SCR)