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亚微米CMOS集成电路ESD保护新结构 被引量:4

New Structures Used for ESD Protection of Sub-Micron CMOS IC's
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摘要 本文主要介绍几种新型的ESD保护结构。包括互补SCR结构 ,双寄生SCR结构 ,低触发电压、高触发电流的横向SCR结构等 ,利用这些结构可以对CMOS集成电路的输入 In this paper,some new ESD protection structures,such as complementary SCR,dual parasitic SCR,lateral SCR with low-voltage and high-current triggering are discussed.With these structures,the input/output pads of CMOS IC's are protected effectively against the ESD stress.
作者 于宗光
出处 《微电子技术》 2001年第3期6-17,共12页 Microelectronic Technology
关键词 CMOS 集成电路 ESD保护 CMOS IC Electrostatic Discharge(ESD) Protection Lateral Semiconductor Control Rectifier(SCR)
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引证文献4

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