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用可编程逻辑器件实现DRAM的刷新与读写控制

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摘要将通用阵列逻辑（GAL）与PROM配合使用，用于大容量动态存储器（DRAM）的动态刷新和读写时序的产生。并根据系统的要求，使用时序和组合逻辑方程，完成复杂的读写功能。

作者张颖马家辰

机构地区哈尔滨工业大学威海分校

出处《黑龙江自动化技术与应用》 1999年第1期41-42,46,共3页

关键词可编程逻辑器件刷新 DRAM 读写控制存储器

分类号 TP333.8 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]

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参考文献1

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黑龙江自动化技术与应用

1999年第1期

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