同被引文献8
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1张晓丹,赵颖,朱锋,魏长春,麦耀华,高艳涛,孙建,侯国付,耿新华,熊绍珍.采用喇曼散射和光热偏转谱法研究微晶硅薄膜结构[J].光电子．激光,2005,16(2):167-170. 被引量：9
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2乔永红,王绍青.硅晶体中点缺陷结合过程的分子动力学研究[J].物理学报,2005,54(10):4827-4835. 被引量：8
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3杨德仁.半导体缺陷的研究进展[J].国际学术动态,2005(6):30-31. 被引量：1
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4李东升,杨德仁.第11届半导体缺陷认知、成像与物理会议[J].国际学术动态,2006(5):48-49. 被引量：1
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5陈军,尤政,周兆英,刘兴占.硅中微体缺陷激光测试技术的理论与实验研究[J].红外与毫米波学报,1997,16(3):174-178. 被引量：2
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6盛殊然,廖显伯,孔光临,刁宏伟.高光敏性高稳定性氢化非晶硅薄膜的研制[J].中国科学（A辑）,1997,27(7):653-658. 被引量：2
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7郭晓旭,朱美芳,刘金龙,韩一琴,许怀哲,董宝中,生文君,韩和相.高氢稀释制备微晶硅薄膜微结构的研究[J].物理学报,1998,47(9):1542-1547. 被引量：20
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8谢锋,刘剑霜,陈一,胡刚.硅中缺陷的透射电镜观察[J].半导体技术,2004,29(3):28-30. 被引量：1
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1徐立,钱佩信,李志坚.快速热退火硅中微缺陷分析[J].Journal of Semiconductors,1993,14(8):513-516.
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2李孟,刘俊飞.直拉硅单晶位错与微缺陷的产生原理及其检测方法[J].物理通报,2013,42(2):121-123. 被引量：1
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3赵彦桥,刘彩池,郝秋艳,孙卫忠.大直径SI-GaAs中的位错和微缺陷[J].Journal of Semiconductors,2007,28(z1):133-136.
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