用于避免外延硅片中“黑点”缺陷的清洗工艺
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1李竑志,唐利斌,郑云,李亚文,季华夏,姬荣斌.老化条件对OLED黑点缺陷的影响研究[J].红外技术,2010,32(6):349-352. 被引量：4
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2梁骏吾,郑敏政,袁桐,闻瑞梅.半导体硅片生产形势的分析[J].中国集成电路,2003,12(44):34-37. 被引量：1
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3田光炎.外延硅片“雾”缺陷的成因及清除方法[J].半导体杂志,1991,16(1):39-44.
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4刘学如.硅外延层电阻率测量值一致性研究[J].微电子学,1996,26(3):198-200. 被引量：2
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5曾祥斌,孙树梅,袁德成,蒋陆金.铂扩散工艺对硅快恢复二极管特性的影响[J].华中科技大学学报（自然科学版）,2007,35(9):73-76. 被引量：5
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6陈天,杨晓鸾,季顺黄.MPS快恢复二极管反向恢复时间的研究[J].电力电子技术,2013,47(11):73-75. 被引量：4
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7竺士炀,李爱珍,黄宜平.Transfer of Thin Epitaxial Silicon Films by Wafer Bonding and Splitting of Double Layered Porous Silicon for SOI Fabrication[J].Journal of Semiconductors,2001,22(12):1501-1506.
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8刘世祥,石万全,柳雪君,刘洪图,刘峰奇,刘磁辉.镨和铕离子注入硅的快速热退火研究[J].中国稀土学报,1996,14(1):33-37. 被引量：1
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