带有余弦项方势阱中的量子混沌特征

考虑到实验室样品中的杂质对AlAs-GaAs-AlAs量子阱的影响，本文建立了斜磁场、电场作用下带有余弦项微扰的方势阱量子模型。计算了该模型最近邻能级间距分布和谱刚度；并和方势阱模型作了较为详细的比较，发现了一些不同的特性，特别是随磁场的增大系统进入混沌的速度加快。