出处
《甘肃科技》
2001年第4期15-15,共1页
Gansu Science and Technology
同被引文献13
-
1徐慢,夏冬林,杨晟,赵修建.铝诱导非晶硅薄膜快速低温晶化研究[J].真空,2006,43(4):16-18. 被引量:5
-
2QUIRKM SERDAJ 韩郑生译.半导体制造技术[M].北京:电子工业出版社,2004..
-
3中国国家质检总局.GJB4027A.2006军用电子元器件破坏性物珊分析方法[S].北京:中国标准出版社,2006.
-
4半导体器件典型缺陷分析和图例[M].北京:中国科学技术出版社,2004:12-18.
-
5姜晨.集成电路铝金属化工艺的缺陷研究[D].上海:上海交通大学,2006.
-
6PETERS L. Advanced aluminum interconnect technology [J]. Semieonduct Int, 1998(11 ): 83-85.
-
7AMERASEKERA E A, NAJM F N. Failure mechanisms in semiconductor devices [M]. USA: J Wiley, 1997: 44-59.
-
8CAMPBELL S A. The science and engineering of microelectronic fabrication [M]. New York: Oxford University Press, 1996: 74-88.
-
9Semiconductor Industry Association, National technology roadmap for semiconductors [M]. USA: SIA, 1997: 55-87.
-
10杨泽栋.不同硅含量的离硅铝合金中初生硅形态控制技术研究[D].南京:南京理工大学,2009.
-
1赵丽华,黄焕琴,刘淑萍.核辐射加固功率晶体管的金属化系统研究[J].微电子学与计算机,1989,6(12):27-31.
-
2张万荣,李志国,郭伟玲,孙英华,穆甫臣,程尧海,陈建新,沈光地.提高半导体器件欧姆接触可靠性的扩散阻挡层及其应用[J].电子工艺技术,1998,19(1):4-6. 被引量:2
-
3蒲耀川.半导体器件中金属化系统的失效模式[J].甘肃科技纵横,2006,35(6):48-48.
-
4李志国.VLSI中的Al金属化系统[J].半导体情报,1995,32(6):30-34.
-
5裴风丽,冯震,陈炳若.AlGaN/GaN HEMT欧姆接触的研究进展[J].半导体技术,2007,32(1):6-11. 被引量:3
-
6孙亮.电视节目制作后期编辑技巧[J].西部广播电视,2015,36(8):125-125.
-
7郭伟玲,李志国,孙英华,程尧海.新型Al金属化系统微波器件EB结的可靠性研究[J].半导体技术,1997,13(3):28-32.
-
8张万荣,李志国,穆甫臣,郭伟玲,孙英华,陈建新,沈光地.砷化镓欧姆接触中的能带工程[J].微电子学,1998,28(1):28-31.
-
9吉元,徐学东,张炜,程尧海,李学信.微电子器件金属化系统失效的电子显微分析[J].电子显微学报,1990,9(3):150-150.
-
10何涛,吴廉亿.集成电路铝金属化系统失效机理研究[J].电子产品可靠性与环境试验,1989(2):18-24.
;