摘要
采用液态的叔丁基砷 (tertiarybularsine ,TBAs)和叔丁基磷 (tertiarybulphosphine ,TBP)为源材料 ,用有机金属气相外延 (metalorganicvaporphaseepitaxy ,MOVPE)生长了与InP衬底晶格匹配的InGaAs/InP超晶格 .高精度X射线衍射的结果表明 ,在In GaAs与InP单异质结界面处 ,存在一个压应变的界面层 .可利用相同的界面模型来模拟InGaAs/InP超晶格的X射线衍射实验结果 .该结果表明 ,TBAs吹扫InP表面对界面应变产生很大的影响 .为此提出了一种新的界面气体转换顺序来控制InGaAs/InP超晶格的界面应变 ,它先把Ⅲ族源转入反应室 ,以此来降低TBAs对InP表面的影响 ,由此得到的超晶格的平均应变减小 ,光致发光的峰值能量出现蓝移 .
出处
《中国科学（A辑）》
CSCD
北大核心
2001年第9期817-822,共6页
Science in China(Series A)
基金
国家杰出青年科学基金资助项目 (批准号 :60 0 2 5 4 0 9)
