摘要
我们对 PHEMT材料中应变沟道 In Ga As层生长条件进行了优化 ,并采用了 LT-Ga As中缺陷扩散的阻挡层。功率 PHEMT器件结果为在栅长 Lg=1 .0 μ时 ,跨导 gm≥ 4 0 0ms/ mm,BVDS>1 5V,BVGS>1 0 V表明该材料有较好的性能。作为材料的缓冲层 ,结果表明器件性能优良 ,是国内最好结果。
We optimized growth conditions of the strained InGaAs channel with LT GaAs buffer layer for power PHEMT.The results indicated the success of devices application.
出处
《电子器件》
CAS
2001年第3期174-177,共4页
Chinese Journal of Electron Devices