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ZnS-ZnSe应变层超晶格远红外反射谱研究被引量：1

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摘要 Ⅱ—Ⅵ族宽禁带化合物超晶格是最有潜力的制做短波长光电器件的半导体材料.ZnS-ZnSe、ZnSe-ZnTe应变层超晶格由于每层中含有较大的应力,因此有许多特殊的性质,已有许多人用Raman光谱法、光致荧光法研究这种超晶格.我们用远红外反射光谱方法研究这种超晶格材料的声子模.

作者崔捷陈云良王海龙干福熹

机构地区中国科学院上海光学精密机械研究所

出处《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 1991年第4期265-267,共3页 Chinese Science Bulletin

关键词 ZnS-ZnSe 应变层超晶格反射谱

分类号 TN304.25 [电子电信—物理电子学]

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科学通报

1991年第4期

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