Ⅱ—Ⅵ族宽禁带半导体应变层超晶格的折射率测量

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摘要 ZnS、ZnSe、ZnTe等宽禁带半导体材料构成的超晶格和量子阱结构可望在可见光光电子器件领域发挥重要作用,特别是它们可制成600—700nm光电子器件,在高密度光学信息系统中的应用,前景非常诱人。因此人们正加紧努力研制基于这种材料的光波导。

作者崔捷陈云良王海龙干福熹

机构地区中国科学院上海光学精密机械研究所

出处《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 1991年第15期1135-1136,共2页 Chinese Science Bulletin

关键词半导体应变层超晶格折射率

参考文献1

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科学通报

1991年第15期

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