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Ⅱ—Ⅵ族宽禁带ZnS/ZnSe应变层超晶格瞬态激子复合发光特性被引量：1

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摘要半导体超品格和量子阱结构形成了载流子的准二维体系,特别是正方向势阱压缩效应增强了电子-空穴间库仑相互作用,使得二维激子束缚能较三维激子束缚能增大,从而使二维激子跃迁强度和吸收强度迅速增加。

作者崔捷王海龙干福熹黄旭光蔡志岗李庆行余振新

机构地区中国科学院上海光学精密机械研究所中山大学激光与光谱学研究所

出处《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 1991年第24期1853-1855,共3页 Chinese Science Bulletin

关键词硫化锌硒化锌半导体超晶格发光

分类号 TN304.25 [电子电信—物理电子学]

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参考文献1

1Zhang X C，Appl Phys Lett，1985年，47卷，1期，59页

同被引文献1

1黄旭光，物理学报，1991年，40卷，1677页

引证文献1

1黄旭光,蔡志岗,李庆行,余振新,王太宏,梅笑冰,杨国桢.用瞬态光致发光研究非对称双量子阱隧穿过程[J].科学通报,1993,38(19):1746-1749.

1李开航,黄美纯.应变超晶格(ZnS)_1/(ZnSe)_1的光学性质[J].物理学报,1997,46(10):2066-2070. 被引量：1
2黄廷荣.Ⅱ—VI族宽禁带化合物半导体的研究现状及其应用前景[J].电子材料（机电部）,1991(9):22-29.
3憨勇,刘正堂,张贵锋,郑修麟.制备中远红外用ZnS体材料的新方法[J].西北工业大学学报,1995,13(1):158-159. 被引量：5
4晓晔.Ⅱ—Ⅵ族衬底新动态（一）[J].电子材料快报,2000(2):8-9.
5薛若梅.ZnSe p型掺杂新技术[J].发光快报,1995,16(6):28-30.
6毕叔和.在Si（111）上外延生长ZnSe[J].电子材料快报,1999(4):5-6.
7崔捷,陈云良,王海龙,干福熹.Ⅱ—Ⅵ族宽禁带半导体应变层超晶格的折射率测量[J].科学通报,1991,36(15):1135-1136.
8许武,张新夷,徐叙瑢.高压下ZnS荧光材料中锰与稀土的相互作用[J].中国稀土学报,1991,9(1):33-36.
9赵强.硫化锌基底增透膜工艺研究[J].航天工艺,1992(5):12-13.
10晓晔.Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体材料地位不容忽视[J].电子材料快报,1999(6):7-8.

科学通报

1991年第24期

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