高速集成电路材料
出处
《今日科技》
1997年第9期22-22,共1页
Science & Technology Today
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1李开成,刘道广,张静,易强.SiGe/Si异质结双极晶体管研究[J].微电子学,2000,30(3):144-146. 被引量：6
-
2电子信息材料[J].军民两用技术与产品,2001(8):25-25.
-
3李树荣,王纯,王静,郭维廉,郑云光,郑元芬,陈培毅,黎晨.SiGe沟道SOI CMOS的设计及模拟[J].固体电子学研究与进展,2003,23(2):214-218. 被引量：1
-
4甘孝松.半导体产业需要材料本土化——访安集微电子(上海)有限公司总裁 俞昌博士[J].中国集成电路,2007,16(8):32-33.
-
5朱瑾.我国集成电路材料的新进展[J].电子材料（机电部）,1995(12):1-4. 被引量：2
-
6上海成立硅产业投资平台利好集成电路材料[J].中国集成电路,2015,24(12):1-2.
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7材料设备业创新需政策助力[J].机床与液压,2011,39(5):97-97.
-
8朱松.一个项目引发的革命[J].国际电子战,2013,0(6):1-1.
-
9安集微电子（上海）有限公司[J].集成电路应用,2007,24(10):8-8.
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10可折叠、拉伸的硅集成电路[J].激光与光电子学进展,2008,45(5):11-11.
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