摘要
CDC(He+SiH4)是为HL-1M装置研制的一种常规壁处理技术。在He辉光等离子体作用下,通过气相中的电子碰撞离解,电离,离子-分子反应和在壁面上的He^+诱导脱H2过程,一种无定形的,半透明的,致密的氢化硅(α-Si:H)薄膜被沉积在清洁的真空壁表面。在托卡马克放电中,硅化壁的特点是有良好的H(D)捕获得,H2(D2)释放和低再循环性能,强的控制杂质能力和较长的寿命时间,结果显著地拓宽了等离子体密度ne,持续时间Tp和能量约束时间τE等的运行范围。自1996年以来,它成功地演证LHCD,ICRH,ECRH,NBI,PI,MBI实验和升级等离子体运行提供了良好的真空壁条件,并取得了丰硕的物理实验和工程技术的研究成果。同时还为利用中型装置在长脉冲放电条件下,开展等离子体与表面互相作用(PSI)提供了一条新的途径,本文主要描述HL-1M装置的Si化关系,参数和放电进展。