摘要
对两种非对称式 TTL与非门多谐振荡器进行了分析 ,提出了两种间接测量 TTL与非门参量的方法 。
Based on analyzing two types of unsymmetrical TTL NAND pulse OSC, two methods of indirectly determining parameter of TTL NAND gate are presented and verified by experiments.
出处
《物理实验》
北大核心
2001年第10期12-14,20,共4页
Physics Experimentation