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两种间接测量TTL与非门参量的方法 被引量:1

Two methods of indirectly determining parameter of TTL NAND gate
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摘要 对两种非对称式 TTL与非门多谐振荡器进行了分析 ,提出了两种间接测量 TTL与非门参量的方法 。 Based on analyzing two types of unsymmetrical TTL NAND pulse OSC, two methods of indirectly determining parameter of TTL NAND gate are presented and verified by experiments.
出处 《物理实验》 北大核心 2001年第10期12-14,20,共4页 Physics Experimentation
关键词 TTL与非门参量 多谐振范器 间接测量 可行性论证 TTL NAND gate pulse OSC parameter
  • 相关文献

参考文献2

  • 1清华大学电子学教研室.数字电子技术基础简明教程[M].北京:高等教育出版社,1985..
  • 2梁明理.电子线路[M].北京:高等教育出版社,1993..

共引文献23

同被引文献2

  • 1清华大学教研室.数字电子技术基础简明教程[M].北京,1985.74-89.
  • 2张延庆 张开华.半导体集成电路[M].上海,1985.44-50.

引证文献1

二级引证文献1

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