期刊文献+

离子能量和沉积温度对离子束沉积碳膜表面形貌的影响 被引量:2

INFLUENCE OF ION ENERGY AND DEPOSITION TEMPERATURE ON THE SURFACE MORPHOLOGY OF CARBON FILMS DEPOSITED BY ION BEAMS
原文传递
导出
摘要 利用质量分离的低能离子束沉积技术 ,得到了非晶碳膜 .所用离子能量为 5 0— 2 0 0eV ,衬底温度从室温到80 0℃ .在沉积的能量范围内 ,衬底为室温时薄膜为类金刚石 ,表面非常光滑 ;而 6 0 0℃下薄膜主要是石墨成分 ,表面粗糙 .沉积能量大于 140eV ,80 0℃时薄膜表面分立着高度取向的、垂直衬底表面、相互平行的开口碳管 .用高分辨电子显微镜看到了石墨平面的垂直择优取向 ,离子的浅注入和应力是这种优先取向的主要机理 . Carbon films were deposited by mass-selected ion beam technique with ion energies 50—200eV at a substrate temperature from room temperature to 800℃. For the energies used, smooth diamond-like carbon films were deposited at room temperature. When the substrate temperature was 600℃,rough graphitic films were produced. But highly oriented carbon tubes were observed when the energies were larger than 140eV at 800℃. They were perpendicular to the surface and parallel to each other. Preferred orientation of graphite basic plane was observed by high-resolution electron microscopy. Shallow ion implantation and stress are responsible for this orientation.
出处 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第7期1324-1327,共4页 Acta Physica Sinica
关键词 非晶碳膜 表面形貌 质量分离 低能离子束沉积 离子能量 沉积温度 amorphous carbon,\ surface morphology,\ mass-selected low energy ion beam deposition
  • 相关文献

参考文献1

二级参考文献6

  • 1Zhang W J,Phys Rev,2000年,B61卷,5579页
  • 2Wang W L,Diamond Relat Mater,1999年,8卷,123页
  • 3Chen J S,J Appl Phys,1999年,85卷,33页
  • 4Jiang X,Phys Rev,1998年,B58卷,7064页
  • 5Lau W M,J Appl Phys,1991年,70卷,5623页
  • 6Qin F,Rev Sci Instrum,1991年,62卷,2322页

共引文献1

同被引文献51

  • 1李红轩,徐洮,陈建敏,周惠娣,刘惠文.射频功率对类金刚石薄膜结构和性能的影响[J].物理学报,2005,54(4):1885-1889. 被引量:24
  • 2杨武保,范松华,张谷令,马培宁,张守忠,杜健.非平衡磁控溅射法类金刚石薄膜的制备及分析[J].物理学报,2005,54(10):4944-4948. 被引量:8
  • 3Lifshitz Y 1996 Diamond Relat. Mater. 5 388.
  • 4Robertson J 2002 Mater. Sci. Engeer. R 37 129.
  • 5Wei Q, Narayan J 2000 Intern. Mater. Rev. 45 135.
  • 6Shi X, Cheah L K, Shi J R et al 1999 J. Phys.: Condens.Mater. 11 185.
  • 7Friedmann T A, Sullivan J P, Knapp J A et al 1997 Appl. Phys.Lett. 71 3820.
  • 8Fetrari A C, Robertson J, Beghi M G et al 1999 Appl. Phys. Lett.75 1893.
  • 9Wei A, Chen D, Peng S et al 1997 Diamond Relat. Mater. 6 983.
  • 10Fanon P J, Veerasamy V S, Davis C A et al 1993 Phys. Rev. B 48 4777.

引证文献2

二级引证文献13

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部