摘要
介绍了一种在半导体器件蒙特卡罗模拟中保持电荷守恒的统计增强方法 ,该方法消除了由统计增强引入的电荷统计涨落 ,保持了不同增强区界面处过界粒子流的连续性 .以肖特基势垒二极管为例 ,应用该方法 。
A charge conservation statistics enhancement method used in semiconductor divice Monte Carlo simulation is approached,which smoothes the charge fluctuation caused by the statistics enhancement, and keeps the continuation of cross edge charge flow. As an example, Schottky barrier diode characteristics is simulated using this method.
出处
《计算物理》
CSCD
北大核心
2001年第6期497-500,共4页
Chinese Journal of Computational Physics
基金
国家重点基础研究专项经费 (G2 0 0 0 0 3 5 6)资助项目
