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高频、高压晶体管设计与制造工艺研究

Research on Design and Produce Processing for Transistors with Performance of High Frequency and High Voltage
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摘要 本文介绍了高频、高压双极型晶体管的一种设计结构和制造工艺。用该设计与工艺做出了耐压大于 2 0 0V、fT 大于 2 0 The article describes the design structure and produce processing for bipolar transistors with performance of high frequency and high voltage.The breakdown voltage of produced transistors is greater than 200V and the f T is higher than 200 MHz.
出处 《微电子技术》 2001年第4期16-18,共3页 Microelectronic Technology
关键词 双极晶体管 高频晶体管 高压晶体管 制造工艺 设计结构 Characteristic frequency Base width Capacitance of junction Gate ring
  • 相关文献

参考文献3

  • 1刘恩科 朱秉升.半导体物理学[M].北京:国防工业出版社,1995.219-220.
  • 2谢孟贤 刘国维.半导体工艺原理[M].北京:科学出版社,..
  • 3北京大学电子仪器厂半导体专业.晶体管原理与设计[M].北京:科学出版社,..

共引文献9

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